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  4. The Consequences of Random Sequential Adsorption for the Precursor Packing and Growth-Per-Cycle of Atomic Layer Deposition Processes
 
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The Consequences of Random Sequential Adsorption for the Precursor Packing and Growth-Per-Cycle of Atomic Layer Deposition Processes

Date Issued
2024-07
Author(s) USM
Sandoval, Tania  
DOI
10.1021/acs.jpclett.4c01632
Abstract
Atomic layer deposition (ALD) processes are known to deposit submonolayers of material per cycle, primarily attributed to steric hindrance and a limited number of surface sites. However, an often-overlooked factor is the random sequential adsorption (RSA)
Link
https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.4c01632
https://cris.usm.cl/handle/123456789/6439

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