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  4. Parameter Optimization on a Tessellation Model for Crack Pattern Simulation
 
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Parameter Optimization on a Tessellation Model for Crack Pattern Simulation

Journal
IEEE Access
ISSN
2169-3536
Date Issued
2023-01-01
Author(s)
Leon, Roberto  
Departamento de Informática  
Montero, Elizabeth  
Departamento de Informática  
Nagel, Werner
DOI
10.1109/ACCESS.2023.3330702
Abstract
The capabilities of a parametric model for crack patterns simulation are presented. Planar tessellations are partitions of the plane into convex polygons (called cells) without overlapping. The Voronoi tessellations and Poisson line tessellations are the most prominent models; however, to model crack patterns, it is more appropriate to deal with tessellations that are generated by a cell division process. We describe the STIT tessellation as a reference model for crack patterns and introduce several modifications. Having described a variety of 40 parametric models and appropriate simulation algorithms, we delineate and specify tuning methods to optimize the adaption of the model to real crack pattern data. An example of a metalized polydimethylsiloxane demonstrates the capability of our approach. The results indicate that this approach yields a considerable improvement in modeling compared to previous studies.
Subjects

Crack pattern

random tessellation

STIT tessellation

spatial statistics

metaheuristic tuning ...

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